[据化合物半导体网站2015年10月28日报道] 来自美国空军研究实验室（位于俄亥俄州的赖特-帕特森空军基地），威尔实验室（位于俄亥俄州代顿市），SelectTech服务公司（位于俄亥俄州森特维尔市）和卫斯理大学（位于康涅狄格州米德尔敦市）的研究人员共同创建了第一个光限幅器，它主要通过光反射而不是光吸收来实现限光功能。
光限幅器允许低强度的光通过，但当光强度超过一定水平时，则会关闭系统阻止光通过，这对某些激光系统十分有用，不仅可以防止高强度光进一步损坏激光/光学系统中的组件，还能实现一些其他预期的实验效果。
然而，通过吸收来实现限光会对光限幅器本身产生损害。因此，空军研究实验室研制的反射型光限幅器是一个显着的进步，此外，反射高强度光预计还可以用于其它实验目的。
这款光限幅器包含非晶二氧化硅（SiO2）和氮化硅（Si3N4）交互层，中间是一层砷化镓（GaAs）层（下称“缺陷”层）。
在低光强时，缺陷模所引起的谐振使该器件具有高的光透射率，而当光强超过某个水平，缺陷层中的双光子吸收会破坏共振模式，使整个器件具有较高反射率。
研究人员表示，由于砷化镓的光学性能限制，实验用的光限幅器件工作波长以1600纳米为中心，而选用其他材料可以使器件工作在其他波长范围内。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张慧）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/96799
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