[据今日半导体网站2015年1月7日报道] 制备增强型硅上氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管（FET）的美国宜普电源转换公司（EPC）宣布，其eGaN单片半桥功率晶体管产品EPC2100系列荣获《电子产品》杂志（一种为电子设计工程师创办的商业出版物）评选的2014年度产品奖（在2015年1月公布）。
对2014年发布的数以千计的产品进行评价，获奖产品是根据创新设计、技术或应用的重要进展，以及价格和性能的丰硕成果基础上选定的。eGaN半桥作为一种半导体分立器件的成功演示，标志着第一个市场销售增强型单片晶体管半桥电路问世。
具体而言，EPC 2100 GaN功率晶体管为电力系统设计人员提供解决方案，当转换速率在500kHz，电压从12V变换到1.2V时，完整降压变换器系统效率和功率密度在10A接近93%，在25A时超过90.5%。
《电子产品》月刊高级编辑Paul O’Shea评论道，“半桥产品EPC 2100系列代表氮化镓半导体技术发展的重要一步。通过将两个eGaN功率场效应晶体管集成到单一器件，可消除互连电感和印刷电路板上的间隙空间。这既增加更高频率时的效率又提高功率密度，同时降低终端用户电力转换系统的组装成本。”
EPC公司共同创始人兼首席执行官Alex Lidow说，“这个奖项证明氮化镓技术将继续作为电源转换技术的性能领导者出现。我们认为，基于硅的MOSFET已经到达极限，eGaN技术将引领电源管理性能增长新路径。”（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 黄庆红）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/92425
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