[据TriQuint半导体公司网站2012年4月17日报道]TriQuint半导体公司今天宣布已与美国陆军研究实验室（ARL）签署了一份合作研究开发协议（CRADA），基于TriQuint的氮化镓（GaN）技术来探索制造新型高频和混合信号集成电路（IC）。CRADA旨在加快新项目进程，支持通信、雷达、电子战和类似应用。
CRADA将为陆军研究人员提供TriQuint的开发、制造和封装技术。ARL和TriQuint的研究人员都将受益于新合作发展环境。新研发的集成电路预计将采用TriQuint公司的增强/耗尽型（E/D）GaN技术。
新协议也将影响TriQuint公司的持续研发计划。氮化镓技术已经被美国国防预先研究计划局（DARPA）用于新项目开发，包括TriQuint公司领导的下一代氮化物电子技术（NEXT）项目。2013年，TriQuint公司继续为混合信号设备（数字和射频）创建基准性能标准。TriQuint公司的氮化镓技术也使其作为微型电源转换项目（MPC）的主承包商之一，为集成RF放大器开发超高速高功率DC-DC开关调制器技术。
TriQuint公司和ARL签订的新协议旨在促进高性能单片微波集成电路（MMIC）的开发。ARL将利用TriQuint的MMIC制造、测试和封装技术进行设计和能力测试。TriQuint和ARL的研究人员将努力确定共同感兴趣的电路，有潜力，以推进国家的最先进的设计方案。
TriQuint公司自1999年以来一直作为研发氮化镓的先驱。目前，TriQuint公司领导了多项氮化镓制造项目，服务于DARPA、美国空军、陆军和海军实验室，其中包括国防制造提升项目。 TriQuint公司还领导了DARPA的其他两个项目，隶属于宽禁带半导体（WBGS）RF研究计划。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈皓）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/75091
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