据军事航空电子网站2013年1月29日报道，美国陆军研究人员正在向行业寻求开发最先进的碳化硅（SiC）半导体功率电子技术，用于下一代高压开关设备。1月28日，陆军发布了一份关于“碳化硅高压功率技术”（SIC HVPT）项目的招标公告（W911NF-13-R-0002），重点关注SiC半导体开关设计、外延材料生长、半导体器件制造和芯片堆栈封装技术。陆军研究人员感兴趣的领域包括增加高效电流密度，采用更大尺寸的芯片堆栈，更高的开关频率，阻断电压大于10000伏。
该项目将重点开发SiC高压双极半导体开关，最终单芯片阻断电压在15000V ~24000V，电流负荷10A。这些开关应能在最大导通电流额定值时关闭。美国陆军正在考虑使用一种高等级配置的高压开关，脉冲电压15000V，最小电压10000V，电流峰值30A，频率为35kHz。另一种应用是利用高压开关和二极管控制Marx电源20000V存储电容器的放电，平均电流10A，短路电流100A。
陆军希望开发一种封装技术，可提供电压隔离、传热、电流和频率，从而使SiC器件性能摆脱封装局限，尽量减小器件体积。回应日期截止到2月28日。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈皓）
新闻来源：http://news.ifeng.com/mil/3/detail_2013_01/30/21765245_0.shtml
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