[据美国军事与航空电子网站2013年4月25日报道] 美国空军拟向产业界转移氮化镓（GaN）微波单片集成电路（MMIC）微米制造工艺，并在国内建立可满足国防部要求的代工生产线。
位于赖特·帕特森空军基地的空军研究实验室在上周末发布了“单片微波集成电路（MMIC）供应商制造能力”项目公告（FOA-RQKM-2013-0003），希望将其研发的0.14微米 碳化硅（SiC）基AlGaN/GaN MMIC制造工艺能力转移到产业界，具体包括工艺转移和优化、制造能力建设和试样晶圆制造，重点是增强工艺的一致性、产量和可靠性。该项目将在晶圆实现量产后结束。
空军官员称，生产代工线必须能够制造所有来自国防部的设计，同时提供具备竞争力的价格；中标的公司重点在于提升射频功率放大器、低噪声放大器和高频开关的产量和可靠性，并降低成本；空军将其研发的MMIC微米制造工艺转移给产业界是为了满足未来先进雷达发展的需求。
空军研究人员解释说，未来有源电子扫描阵列雷达传感器将使用氮化镓MMIC器件，来提升功率附加效率和使用多功能传感器阵列以拓宽工作频段。
空军官员称，与砷化镓和磷化铟MMIC器件相比，氮化镓器件可耐受更高的温度和电压，但氮化镓MMIC器件成本仍太高，而且美国本土只有有限的几家代工线。
美国国内代工线尚不具备空军研究实验室研发的0.14微米工艺生产能力。因此，该项目目标是建立新的GaN代工能力，并减少成本。
空军将在选定中标公司后，确定建立0.14umSiC基AlGaN/GaN代工线所缺少的设备，并进行购置和安装。中标的公司必须制定出工艺转化计划和开发工艺设计工具（PDK），然后将该PDK提供给一个无利益关系的设计公司，由其设计电路器件掩膜版以帮助建立制造基准。
空军希望在今年7月前授出合同，以加快项目进程，并只设置一个中标商。该项目今后四年的投资额分别是50万、150万、175万和120万美元。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张倩）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/81719
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