[据英国工程网2013年11月26日报道]北卡罗莱纳州立大学的研究人员将铁酸铋(BFO)作为单晶集成到硅片上，这一进步可能带来新一代多功能智能设备。
将电流通过材料，铁酸铋可以被磁化，潜在应用包括新的磁存储设备、智能传感器和自旋电子技术。
据北卡罗莱纳州立大学,将铁酸铋作为单晶集成到硅衬底上，通过限制从铁酸铋“泄漏”到衬底上的电荷量，使得铁酸铋更有效。
这项工作意味着我们现在可以尝试开发可以感知、操作和响应数据更快的智能设备，因为它发生在一个芯片上，数据不需要传送到其他地方，文章的第二作者说。
研究人员还发现，他们仅用4个电压，就可以切换铁酸铋的磁场极性，这是与现有集成电路所需的电压可比的。这是开发功能技术的一个关键，因为更高的电压和磁场是不切实际的，也需要更多的能量，可能损害和破坏电子功能。
同样，研究人员发现，低强外部磁场——300奥斯特——也可以切换铁酸铋的磁极。这很重要，因为外部磁场不对铁酸铋产生热量，这对于某些应用也可能是重要的。（中国航空工业发展研究中心 胡燕萍）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/85779
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