目前的内存主要有DRAM和flash 2种，其各有优点也各自缺点。而一种新型存储器——ULTRARAM™，兼具2种存储的优点，却克服了它们的缺点。
研究于3月25日发表在《IEEE电子器件学报》上，标题为“ULTRARAM: Toward the Development of a III-V Semiconductor, Nonvolatile, Random Access Memory”(超随机存取存储器：朝着III-V半导体、非易失性、随机存取存储器的方向发展)，通讯作者为兰开斯特大学物理系的D. Lane。
DRAM速度很快，因此用于工作内存，但它是易失性的，只拥有“短期记忆”;Flash是非易失性的，允许长期记录数据，但写入输出速度非常慢，而且会磨损。它非常适合用于数据存储，但不能用于频繁写入读取的日常活动。
科学家层设想过一种“通用存储器”，技能可靠地存储数据，又很容易写入。不过，过去一直认为这种存储器是异想天开。
现在情况发生了变化。在研究中，科学家通过利用一种称为共振隧道的量子力学效应来解决通用存储的悖论，这种效应允许屏障通过施加小电压从不透明变为透明。这种新型非易失性RAM被命名为ULTRARAM™，是“通用内存”概念的成熟产品，拥有DRAM和flash的所有优点，并且没有任何缺点。
在研究中，研究人员首次将ULTRARAM™ 设备集成进小型(4位)阵列，使其能够通过实验验证这种新颖的、申请了专利的内存结构。
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