[据EE时代网站2014年4月14日报道]韩国三星先进技术研究所（SAIT）联合韩国成均馆大学共同宣布研制出在硅晶圆上合成单晶单层石墨烯的方法。
石墨烯是原子呈蜂巢状排列的碳的同素异形体。石墨烯中的电气迁移率大约是硅基结构的40多倍，其部分原因是包含在两个维度中的电子的量子力学效应。
该性能被认为将在高性能晶体管和显示器中发挥重要作用。但是该材料的单层特性使其在集成电路制造过程中容易受到损害。而且，通常石墨烯通常只能制造出小片，限制了商业应用的可能性。
研究人员在《科学杂志》上发表了论文，描述了如何在硅晶圆上的氢端锗缓冲层上生长无皱单晶单层石墨烯，但并为透露晶圆的直径。锗（110）表层的各向异性双重对称特性允许单向排列多个种子，这些种子可长成预定义方向的整齐单层石墨烯。
另外，石墨烯和底层氢端锗表面间的弱连接性使得在石墨烯制造过程中容易进行石墨烯无刻蚀干转移，衬底还可使用。
该研究是由韩国科学、信息通信技术和未来规划部（MSIP）提供资金支持。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张倩）
新闻来源：http://www.dsti.net/Information/News/88031
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